14 Si
  • NameSILICON (규소)
  • SymbolSi
  • Atomic No.14
  • Atomic weight28.0
Properties (물성)견적문의
  • Melting Point1,414℃
  • Boiling Point2,355℃
  • Density2.329g/㎤
  • Thermal Conductivity148W/(m.K)at 27℃
  • Specific Heat678J/(kg.K)at 25℃
  • Heat of Fusion46.5kJ/mol
  • Heat of Vaporization297kJ/mol
  • Electronegativity1.8Pauling's
  • Mohs Hardness7.0 at 20℃
  • Electrical Resistivity30~40nΩ·m at 0℃
  • Crystal StructureDiamond
  • Covalent Radius0.111nm
  • First Ionization Energy787kJ/mol

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주기율표 제14족의 탄소족원소에 속하는 비금속원소. 실리콘이라고도 한다. 규소의 비교적 간단한 화합물인 산화규소 SiO2는 부싯돌·수정(水晶) 등으로 옛날부터 알려져 있었으며, 규사(硅砂) 같은 것은 고대 이집트에서 유리제조의 원료로 사용되기도 하였다. 1822년 스웨덴의 화학자 J.베르셀리우스가 홑원소물질로서 처음으로 발견하였고, 플루오르화규소를 금속칼륨으로 환원시켜서 얻었다. 자연계에는 유리상태로 산출되지 않고, 산화물·규산염 등으로 존재하며, 암석권의 주요 구성성분이 되어 있다. 클라크수(지각 내의 존재량)는 산소에 이어 제2위로 많아 27.6 %를 차지한다. 또 벼·대나무·속새풀 등을 비롯하여 규조류(硅藻類), 동물의 깃털·발톱, 해면 등에도 함유되어 있다.
 <성질> 무정형(無定形)인 것은 갈색 분말이고, 결정질인 것은 어두운 청흑색의 침상(針狀) 또는 판상(板狀)으로 비뚤어진 8면체이다. 다이아몬드형 구조이며, 게르마늄과 함께 전형적인 반도체이다. 공기 중, 상온에서는 안정하지만 플루오르와는 반응하며, 가열하면 염소·산소·질소 등과도 반응한다. 또 탄소와는 고온에서 반응하여 탄화규소를 만든다. 왕수(王水)에 의해 서서히 산화되어 이산화규소가 되고, 플루오르화수소산과 질산의 혼합물 및 수산화알칼리용액에는 쉽게 녹지만, 그 밖의 산에는 침식되지 않는다. 가성알칼리수용액의 작용을 받아 수소를 발생하며 녹아서 규산염이 된다. 금속나트륨과 할로겐화알킬을 작용시키면 유기규소화합물이 생긴다.
 <제조법> 일반적으로는 수세파쇄(水洗破碎)한 규석을 숯 또는 코크스로 전기로에서 환원시켜 얻는다. 순도는 99 % 정도에 이른다. SiO2+C → CO2+Si 규석을 마그네슘·알루미늄 등으로 환원시켜도 얻을 수 있다. 시중의 판매품은 순도 96~98 % 정도이지만, 염산·플루오르화수소산으로 세정하면 탄화규소 이외의 불순물을 제거할 수 있다. 보다 순수한 것을 얻으려면, 증류 정제한 사염화규소를 고순도(高純度)의 아연으로 고온에서 환원시키는 뒤퐁법에 의해서 99.97 % 정도의 것을 얻을 수 있다. 또 대용융법(帶溶融法)이라 하는 정제법에 의해서 텐-나인의 순도(99.99999999 %)의 것을 얻을 수 있다.
 <용도> 규소는 뛰어난 반도체이기 때문에 초단파용 광석검파기(트랜지스터·다이오드 등)로 쓰이며, 게르마늄을 사용하는 것보다도 더 짧은 파장에까지 유효하게 작용한다. 또 각종 규소수지의 원료이며, 환원제·탈산제·합금 첨가원소로서 금속재료 부문에서 대량으로 사용된다. 철강재료에는 보통 70 % 정도의 규화철을 함유하며, 고규소주철(규소 15 % 정도)은 내산(耐酸) 합금으로 알려져 있다. 규소 0.5~4.2 %를 함유하는 규소강판은 자기유도도(磁氣誘導度)가 높아 변압기 등의 철심(鐵心)으로서 중요하다. 구리합금에는 약 4.5 % 첨가되어 전신·전화선 등에, 알루미늄합금에는 약 13 % 첨가되어 실루민(silumin)합금으로 사용된다.
Powder (분말)
SIE02PB Si2N  25g/¥8,000  100g/¥10,000  500g/¥18,000
  powder, M300micrometer pass    
SIE03PB Si2N  25g/¥8,000  100g/¥10,000  500g/¥18,000
  powder, M150micrometer pass    
SIE04PB Si2N  25g/¥8,000  100g/¥10,000  500g/¥18,000
  powder, M75micrometer pass    
SIE22PB Si2Nup  100g/¥9,000  500g/¥13,000 
  powder, dust    
SIE23PB Si3N  100g/¥11,000  500g/¥35,000  1kg/¥68,000
  powder, ca.5micrometer    
SIE19PB Si3Nup  25g/¥11,000  100g/¥13,000  500g/¥23,000
  powder, M45micrometer pass    
SIE07PB Si3Nup  25g/¥11,000  100g/¥13,000  500g/¥23,000
  powder, M300micrometer pass    
SIE08PB Si3Nup  25g/¥11,000  100g/¥13,000  500g/¥23,000
  powder, M150micrometer pass    
SIE09PB Si3Nup  25g/¥11,000  100g/¥13,000  500g/¥23,000
  powder, M75micrometer pass    
SIE10PB Si4Nup  25g/¥15,000  100g/¥17,000  500g/¥30,000
  powder, M300micrometer pass    
SIE11PB Si4Nup  25g/¥15,000  100g/¥17,000  500g/¥30,000
  powder, M150micrometer pass    
SIE12PB Si4Nup  25g/¥15,000  100g/¥17,000  500g/¥30,000
  powder, M75micrometer pass    
SIE20PB Si4Nup  25g/¥15,000  100g/¥17,000  500g/¥30,000
  powder, M45micrometer pass    
Grain (입상)
SIE01GB Si5N  25g/¥9,000  100g/¥11,800  500g/¥28,800
  grains, 2~5mm, irregular form    
Rod & Tablet (로드 & 타블렛)
SIE01RB Si5N  20p/¥44,000  
  tablet, 10dia x 5mmt   
SIE02RB Si5N  10p/¥25,000  
  tablet, 20dia x 5mmt   
Chip (칩)
SIE01CB Si5N  20p/¥6,500  
  chips, 5 x 5 x 1mmt   
SIE02CB Si5N  10p/¥34,500  
  chips, 10 x 10 x 1mmt   
Target (타겟)
  Si5N  101.6dia x 5mmt /¥42,000 
  target  152.4dia x 5mmt /¥68,000 
Sheet (쉬트)
  Si5N  Ask  
  sheets   

 

 

 Oxide (산화물)
Powder (분말)
SIO01PB SiO3N  100g/¥10,000  500g/¥40,000 

  powder, M850micrometer pass,

  F.W.44.08, d.2.18, m.p.1730℃, b.p.1880℃ 

  
SIO02PB SiO3N  100g/¥13,000  500g/¥52,000 

  powder, M75micrometer pass,

  F.W.44.08, d.2.18, m.p.1730℃, b.p.1880℃ 

  
SIO04PB SiO4N  100g/¥20,000  500g/¥78,000 

  powder, M300micrometer pass,

  F.W.44.08, d.2.18, m.p.1730℃, b.p.1880℃ 

  
SIO05PB SiO4N  100g/¥42,000  500g/¥180,000 

  powder, M75micrometer pass,

  F.W.44.08, d.2.18, m.p.1730℃, b.p.1880℃ 

  
SIO19PB SiO3N  25g/¥9,800  500g/¥46,400 

  powder, M38micrometer pass,

  F.W.44.08, d.2.18, m.p.1730℃, b.p.1880℃ 

  
SIO07PB SiO23N  100g/¥4,600  500g/¥10,000  1kg/¥16,000

  quartz, fine powder, ca.0.8micrometer,

  F.W.60.08, d.2.65, m.p.1550~1713℃ 

  
SIO08PB SiO23N  100g/¥4,600  500g/¥10,000  1kg/¥16,000

  quartz, fine powder, ca.4micrometer,

  F.W.60.08, d.2.65, m.p.1550~1713℃ 

  
SIO09PB SiO23N  100g/¥4,600  500g/¥8,000 

  quartz, fine powder, M63micrometer pass,

  F.W.60.08, d.2.65, m.p.1550~1713℃, b.p.2950℃ 

  
SIO14PB SiO23Nup  100g/¥17,500  500g/¥64,500 

  amorphous, ca.1micrometer,

  F.W.60.08, d.2.196, m.p.1726℃, b.p.2230℃ 

  
SIO17PB SiO23N5  100g/¥5,600  500g/¥15,000 

  gel, powder, M300micrometer pass,

  F.W.60.08, d.2~2.5, m.p.1726℃, b.p.2230℃ 

  
SIO18PB SiO23N5  100g/¥7,900  500g/¥23,700 

  gel, powder, M75micrometer pass,

  F.W.60.08, d.2~2.5, m.p.1726℃, b.p.2230℃ 

  
SIO20PB SiO25N  100g/¥15,000  500g/¥44,000 

  gel, powder, ca.25micrometer,

  F.W.60.08, d.2.196, m.p.1726℃, b.p.2230℃ 

  
SIO21PB SiO24N5100g/¥20,000  500g/¥57,700 

  quartz glass, powder, M600micrometer pass,

  F.W.60.08, d.2.196, m.p.1726℃, b.p.2230℃ 

  
Grain (입상)
SIO21GB SiO3N5  100g/¥10,000  500g/¥25,000 

  lumps, 20~50mm,

  F.W.44.08, d.2.18, m.p.1730℃, b.p.1880℃ 

    
SIO01GB SiO3N  100g/¥15,600  500g/¥52,000 

  lumps, 10~20mm,

  F.W.44.08, d.2.18, m.p.1730℃, b.p.1880℃ 

    
SIO02GB SiO3N  25g/¥13,200  100g/¥30,300 

  grains, M850~2000micrmeter,

  F.W.44.08, d.2.18, m.p.1730℃, b.p.1880℃ 

  
SIO03GB SiO4N  100g/¥16,800  500g/¥56,000 

  lumps, 10~20mm,

  F.W.44.08, d.2.18, m.p.1730℃, b.p.1880℃ 

    
SIO04GB SiO4N  25g/¥15,900  100g/¥36,300 

  grains, M850~2000micrmeter,

  F.W.44.08, d.2.18, m.p.1730℃, b.p.1880℃ 

  
SIO23GB SiO24N  25g/¥8,400  100g/¥12,000  500g/¥16,600
  quartz glass, gains, 2~5mm, F.W.60.08    
SIO24GB SiO2 / (glass)4N  25g/¥13,000  100g/¥20,000  500g/¥35,000

  quartz glass, grains, 2dia x ca.2mmt,

  F.W.60.08, d.2.65, m.p.1550~1713℃ 

  
Rod & Tablet (로드 & 타블렛)
SIO01RB SiO3N  20p/¥95,000  
  tablets, by sintering powder, 5 x 5 x 5mmt,
  F.W.44.08, d.2.18, m.p.1730℃, b.p.1880℃
   
SIO02RB SiO3N  10p/¥90,000  
  tablets, by sintering powder, 10 x 10 x 5mmt,
  F.W.44.08, d.2.18, m.p.1730℃, b.p.1880℃
   
SIO03RB SiO24N  20p/¥60,000  
  tablet (quartz glass), 10dia x 5mmt,
  F.W.60.08, d.2.196, m.p.1726℃, b.p.2230℃
   
SIO04RB SiO24N  10p/¥21,500  
  tablet (quartz glass), 20dia x 5mmt,
  F.W.60.08, d.2.196, m.p.1726℃, b.p.2230℃
   
Chip (칩)
SIO01CB SiO24N  20p/¥36,000  

  chip, 5 x 5 x 1mmt,

  F.W.60.08, d.2.196, m.p.1726℃, b.p.2230℃ 

   
SIO02CB SiO24N  10p/¥20,200  

  chip, 10 x 10 x 1mmt,

  F.W.60.08, d.2.196, m.p.1726℃, b.p.2230℃ 

   
Target (타겟)
  SiO3N  101.6dia x 5mmt /¥110,000 
  target, F.W.44.08  152.4dia x 5mmt /¥170,000 
  SiO24N  101.6dia x 5mmt /¥30,000 
  quartz glass, target, F.W.60.08  152.4dia x 5mmt /¥50,000 
  SiO26N  101.6dia x 5mmt /¥35,000 
  target, F.W.60.08  152.4dia x 5mmt /¥65,000 
  SiO2-GeO23N  Ask  
  target   
  SiO2-TiO23N  Ask  
  target   

 

 

 Salt & Halogenide (염 및 할로겐화합물)
SIH01LB SiBr44N  25g/¥23,700  
  liquid, F.W.347.7, d.2.8, m.p.5.4℃, b.p.154℃    

 

 Other inorganic compound (무기화합물)
Powder (분말)
SII01PB SiC2Nup  100g/¥5,100  1kg/¥15,000 

  fine powder, ca.2~3micrometer,

  F.W.40.1, d.3.16, m.p.2700℃ 

   
SII02PB SiC2Nup  25g/¥22,000  

  powder, whisker,

  F.W.40.1, d.3.16, m.p.2700℃ 

    
SII09PB Si3N42Nup  100g/¥5,900  1kg/¥24,000 

  powder, ca.1micrometer,

  F.W.140.28, d.3.17, m.p.1900℃ 

    
SII08PB Si3N43Nup  100g/¥10,000  500g/¥28,000 1kg/¥57,000

  powder, ca.0.5micrometer,

  F.W.140.28, d.3.17, m.p.1900℃ 

    
Tablet & Target (타블렛 & 타겟)
  SiC 

  5 x 5 x 5mmt  20p/¥105,000, 

  10 x 10 x 5mmt  10p/¥105,000 

  tablet & target

  101.6dia x 5mmt / ¥102,000,     

  152.4dia x 5mmt /¥115,000 

  Si3N4   Ask  
  tablet & target   

 

 Metal organic compound (금속유기화합물)
■ Alkoxide & others (알코옥사이드 & 기타)
SIR01LB Si(OCH3)46N  25g/¥19,000  

  liquid,

  F.W.152.22, d.1.0232, m.p.-4℃, b.p.121℃ 

    
SIR02LB Si(OC2H5)4   (TEOS)6N  25g/¥3,400  50g/¥4,600 

  liquid,

  F.W.208.33, d.0.93220, m.p.-82.5℃, b.p.166.8℃ / 99.8 kPa 

   
SIR03LB Si (O-i-C3H7)45N  Ask  

  liquid,

  F.W.264.44, d.0.8779, b.p.183~186℃ / 101.3 kPa 

    
SIR04LB Si(O-n-C3H7)45N  Ask  

  liquid,

  F.W.264.44, d.0.916, b.p.224~225˚ / 99.8 kPa 

    
SIR05LB Si(O-i-C4H9)45N  Ask  

  liquid,

  F.W.320.53, d.0.891, b.p.255~258˚ / 101.3 kPa 

    
SIR06LB Si(O-n-C4H9)45N  Ask  

  liquid,

  F.W.320.55, d.0.899, b.p.273~277℃ / 101.3 kPa 

    
SIR07LB Si(O-sec-C4H9)45N  Ask  
  liquid, F.W.320.55, d.0.885, b.p.251℃    
SIR08LB Si(O-t-C4H9)45N  Ask  

  solid,

  F.W.320.55, d.0.87620, m.p.51℃, b.p.222℃ 

    
SIR09LB SiH [N(CH3)2]3   10g/¥22,500  

  liquid,

  F.W.161.32, d.0.838, m.p.<-90℃, b.p.148℃ 

    

 

 Spin coating and Dip coating solution (코팅제)
■ MOD (도포형재료)
SIK04LB Si-05S  SiO2   100ml/¥28,500  

  무색액체, liquid,

  d.ca.0.85, 산화물농도 5%, sol-gel액 

    
SIK02LB PS-05S  SiO2-P2O5   100ml/¥30,500  

  무색액체, liquid,

  d.ca.0.85, 산화물농도 5%, (SiO2 = 5%, P2O5 = 0.25%), sol-gel액 

  
SIK03LB BPS-05S  SiO2-P2O5-B2O3   100ml/¥30,500  
  무색액체, liquid,
  d.ca.0.86, 산화물농도 5%, (SiO2 = 5%, P2O5 = 0.25%, B2O3 = 0.15%), sol-gel액
 
SIK05LB BS-05S  SiO2-B2O3   100ml/¥30,500  

  무색액체, liquid,

  d.ca.0.86, 산화물농도 5%, (SiO2 = 5%, B2O3 = 0.25%), sol-gel액 

  
■ EMOD (도포형재료)
SIS01LB SYM-SI05  SiO2   100ml/Ask  

  담황색액체, liquid,

  d.0.89, 산화물농도 0.5mol/ℓ,

  이재료는 다른재료에 첨가용으로 개발된 제품입니다. 

 

 

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