31 Ga
  • NameGALLIUM (갈륨)
  • SymbolGa
  • Atomic No.31
  • Atomic weight69.72
Properties (물성)견적문의
  • Melting Point29.78℃
  • Boiling Point2403℃
  • Density5.907g/㎤
  • Thermal Conductivity40.6W/(m.K)at 27℃
  • Specific Heat371J/(kg.K)at 25℃
  • Heat of Fusion5.59kJ/mol
  • Heat of Vaporization254kJ/mol
  • Mohs Hardness1.5~2.5 at 20℃
  • Electrical Resistivity136nΩ·m at 20℃
  • Crystal StructureCubic
  • Covalent Radius0.126nm
  • Heat of Sublimation1.6 Pauling's

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주기율표 제13족에 속하는 금속원소. 천연으로는 2종의 안정 동위원소 갈륨 69 69Ga와 71 71Ga이 있다. 1875년 프랑스의 화학자 L.부아보드랑이 섬아연석 속에서 분광분석법에 의해 발견하여, 프랑스의 라틴어 이름인 갈리아(Gallia)를 따서 갈륨이라 명명하였다. 이 원소는 D.I.멘델레예프가 예언한 에카알루미늄에 해당되어, 그의 주기율이 옳다는 것을 증명하는 데 도움이 되었다. 은백색 금속으로 염화갈륨 GaCl3을 전기분해하면 생긴다. 화학적 성질은 알루미늄과 비슷하며, 산·알칼리에 용해하여 수소를 발생한다. 녹는점이 낮기 때문에 기온이 높아지면 액체가 되기 쉽다. 공기 중에서는 비교적 안정하며, 물에도 침식되지 않는다. 지구상에 비교적 널리 분포하지만, 아연 등의 광석에 적은 양이 함유되어 있을 뿐, 산출량은 많지 않다. 또한, 석탄회 속에서도 발견되며, 게르마늄을 추출할 때 부산물로 얻기도 한다. 홑원소물질 또는 녹는점이 낮은 합금으로서 온도계의 충전제로 쓰는 외에, 합금으로서 수은의 대용으로 사용되며, 또 반도체의 재료로도 쓰인다. 

Powder (분말)
GAE03PB  Ga 3N   25g/¥16,000    
  powder, M850micrometer pass        
GAE04PB  Ga 4N   25g/¥22,000    
  powder, M850micrometer pass        
Grain (입상)
GAE15GB  Ga 4N   Ask    
  tile, ca.30 x 30 x 8t, ca.50g/p      
GAE16GB  Ga 5N   Ask    
  tile, ca.30 x 30 x 8t, ca.50g/p      
GAE17GB  Ga 6N   Ask    
  tile, ca.30 x 30 x 8t, ca.50g/p      
GAE07GB  Ga 7N   Ask    
  grains, ca.1g/p      
Ingot (잉고트)
GAE08GB  Ga 4N   Ask    
  ingot      
GAE19GB  Ga 4N   100g/¥38,000    
  ingot      
 Alloy (합금)
GAA01XB  Ga-In (75.5:24.5%) 4N   Ask    
  eutectic, m.p.15℃, 공정합금      
GAA08XB  Ga-In (75.5:24.5%) 4N   Ask    
  eutectic, m.p.15℃, 공정합금      
GAA02XB  Ga-In (75.5:24.5%) 5N   Ask    
  eutectic, m.p.15℃, 공정합금      
GAA03XB  Ga-In-Sn (62:25:13%) 4N   Ask    
  eutectic, m.p.5℃, 공정합금      
GAA04XB  Ga-In-Zn (67.0:29.0:4.0%) 4N   Ask    
  eutectic, m.p.13℃, 공정합금      
GAA05XB  Ga-Sn (92:8%) 4N   Ask    
  eutectic, liquid, m.p.20℃, 공정합금      
GAA06XB  Ga-Sn (92:8%) 5N   Ask    
  eutectic, liquid, m.p.20℃, 공정합금      
GAA07XB  Ga-Zn (95:5%) 4N   Ask    
  eutectic, m.p.25℃, 공정합금      
 Oxide (산화물)
Powder (분말)
GAO01PB  Ga2O3 3N   25g/Ask   100g/Ask   500g/Ask
  powder, F.W.187.44, d.6, m.p.1900℃      
GAO04PB  Ga2O3 4N 100g/¥35,000   500g/¥63,300  
  powder, F.W.187.44, d.6, m.p.1900℃      
Tablet & Target (타블렛 & 타겟)
   Ga2O3 3N

  10dia x 5mmt  20p/¥70,000,     

  20dia x 5mmt  10p/¥70,000 

  tablet & target

  101.6dia x 5mmt / ¥210,000,    

  152.4dia x 5mmt / ¥373,000 

 

 Salt & Halogenide (염 및 할로겐화합물)
GAH01XB  GaBr3 5N   Ask    

  anhydrous,

  F.W.309.44, d.3.69, m.p.121.5℃, b.p.278.8℃ 

     
GAH03XB  GaCl3 5N   25g/¥14,400    

  anhydrous,

  F.W.176.07, d.2.47, m.p.77.9℃, b.p.201.3℃ 

     
GAH05XB  GaI3 4N   25g/¥135,000    

  anhydrous,

  F.W.450.44, d.4.5, m.p.212℃, b.p.345℃< 

     
GAH06XB  Ga(NO3)3.xH2O 3N   25g/¥12,500   100g/¥30,500  
  hydrous, m.p.65℃, b.p.110℃      
GAH07XB  Ga(NO3)3.xH2O 5N   25g/¥18,500   100g/¥36,500  
  hydrous, m.p.65℃, b.p.110℃      
GAH10XB  Ga2(SO4)3.xH2O 3N   25g/¥15,000   100g/¥50,000  
  hydrous, m.p.165~360℃      
GAH09XB  Ga2(SO4)3 4N   Ask    
  anhydrous, F.W.427.61, m.p.690℃      
 Other inorganic compound (무기화합물)
GAI01PB  GaAs 5N   25g/¥120,000    
  powder, F.W.144.65, d.5.3176, m.p.1238℃      
GAI02GB  GaAs 5N   25g/¥118,000    
  lumps, F.W.144.65, d.5.3176, m.p.1238℃      
GAI22PB  GaN 4N   25g/¥23,700        
  powder, F.W.83.73, d.6.10, m.p.800℃      
GAI24PB  GaP 4N   25g/¥60,000    
  powder, F.W.100.7, d.4.138, m.p.1465℃      
GAI23GB  GaP 4N   25g/¥60,000    

  lumps,  ca.5~20mm,

  F.W.100.7, d.4.138, m.p.1465℃ 

     
GAI18PB  GaS 4N   Ask    
  powder, F.W.101.78, d.3.86, m.p.965℃      
GAI19GB  GaS 4N   Ask    
  lumps, F.W.101.78, d.3.86, m.p.965℃      
GAI26PB  Ga2S3 4N   25g/¥19,900            
  powder, F.W.235.63, d.3.7, m.p.1255℃      
GAI09PB  GaSe 3N   Ask    
  powder, F.W.148.69, d.5.03, m.p.960℃      
GAI10GB  GaSe 3N   Ask    
  lumps, F.W.148.69, d.5.03, m.p.960℃      
GAI11PB  Ga2Se3 3N   Ask    
  powder, F.W.376.36, d.4.92, m.p.937℃      
GAI12GB  Ga2Se3 3N   Ask    
  lumps, F.W.376.36, d.4.92, m.p.937℃      
GAI13PB  GaTe 5N   25g/¥45,000    
  powder, F.W.197.32, d.5.44, m.p.835℃      
GAI14GB  GaTe 5N   25g/¥40,000    
  lumps, F.W.197.32, d.5.44, m.p.835℃      
GAI15PB  Ga2Te3 5N   Ask    
  powder, F.W.522.25, d.5.57, m.p.790℃      
GAI25PB  GaO2H 3N   25g/¥31,200   100g/¥95,400  
  powder, F.W.102.73, d.5.23      
Tablet & Target (타블렛 & 타겟)
   GaN 3N   Ask    
  tablet & target      
 Metal organic compound (금속유기화합물)
■ Alkoxide (알코옥사이드)
GAR01GB  Ga(OCH3)3 3N   Ask    

  백색고체, solid,

  F.W.162.83, b.p.275~280℃ / 53.3 Pa 

     
GAR06GB  Ga(O-i-C3H7)3 3N   5g/¥27,800   50g/¥178,000  

  백색고체, solid,

  F.W.246.99, b.p.120℃ / 133.3 Pa 

     
GAR05GB  Ga(O-n-C4H9)3 3N   Ask    

  백색고체, solid,

  F.W.289.07, b.p.184℃ / 6.7 Pa 

     
 Spin coating and Dip coating solution (코팅제)
■ MOD (도포형재료)
GAK01LB  Ga-O3  Ga2O3     100ml/¥43,500    
  갈색액체, 산화물농도3%        
■ EMOD (도포형재료)
GAS01LB  SYM-Ga03   GaO1.5     25ml/¥45,500   100ml/¥90,500  
  liquid,  산화물농도 0.3mol/ℓ      
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