32 Ge
  • NameGERMANIUM (게르마늄)
  • SymbolGe
  • Atomic No.32
  • Atomic weight72.59
Properties (물성)견적문의
  • Melting Point958.5℃
  • Boiling Point2830℃
  • Density5.32g/㎤
  • Thermal Conductivity59.9W/(m.K)at 27℃
  • Specific Heat320J/(kg.K)at 25℃
  • Heat of Fusion36.94kJ/mol
  • Heat of Vaporization334kJ/mol
  • Electronegativity1.8 Pauling's
  • Electrical Resistivity0.46Ω·m at 22℃
  • Crystal StructureDiamond
  • Covalent Radius0.122nm
  • Debye Temperature362K

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주기율표 제14족에 속하는 탄소족원소. 1871년 D.I.멘델레예프가 에카 규소(珪素)로서 그 존재를 예언하였으며, 86년에 독일의 화학자 C.빙클러, A.브라이하우프트가 아지로다이트(argyrodite) 속에서 발견하여, 독일의 라틴명인 Germania를 따서 게르마늄이라 명명하였다. 아지로다이트·게르마나이트 등의 광석이 있으나 극히 드물다. 지각 속에는 넓고 얇게 분포되어 섬아연석(閃亞鉛石)·황화동석 속에 약간 함유되어 있고, 또 암석 속에서 규산염의 규소와 치환하여 미량(微量)이 함유되어 있는데 석탄 속에도 농축되어 존재하며, 식물에 흡수되어 존재하는 경우도 많다.

 

 <성질> 청색이 감도는 회백색의 단단한 금속으로 굳기는 불순물에 따라 뚜렷한 차이가 나지만, 보통은 모스굳기로 6이다. 전형적인 반도체로, 진성(眞性)반도체로 생각된다. 3가 또는 5가의 불순물 원자를 미량 함유할 때는 각각 p형 및 n형 반도체가 된다. 결정구조는 다이아몬드형이다. 공기 중에서는 안정하지만, 적열(赤熱) 이상으로 가열하면 산화한다. 염산·묽은 황산에는 녹지 않지만, 왕수(王水)·알칼리 용액(과산화수소 함유) 및 뜨거운 진한 황산 등에는 녹는다. 흔히 2가 및 4가의 화합물을 만든다.

 

 <제조법> 염화게르마늄을 정제하여 얻는다. 염화게르마늄의 제조법에는 황화광물을 제련할 때 부산물로서 얻는 방법, 석탄을 연소시켰을 때의 연탄을 모으는 방법 등이 있다. ① 황화광물 제련시의 부산물로서 얻는 방법:게르마늄을 함유하는 섬아연석을 태워 산화물을 만들고, 석탄과 식염을 가하여 소결(燒結)하면 게르마늄과 카드뮴이 휘발분으로서 나온다. 이것을 황산에 흡수시켜 아연말(亞鉛末)을 써서 카드뮴을 제거하고, 건조·배소(焙燒)시킨 다음, 염산과 증류하여 염화게르마늄을 석출시킨다. 또, 구리광석 등에서는 제련반사로(製鍊反射爐)에서 구리를 분리시킨 광재(鑛滓)로부터 아연과 카드뮴을 제거하는 방법도 있다. ② 석탄 연소시의 연탄을 모으는 방법:이 연탄은 1 % 내외의 게르마늄을 함유하고 있는데 탄산나트륨과 석회를 가하고 산화구리를 섞어 가열하면, 그 광재에 게르마늄이 모인다. 이 광재를 가루로 만들어 염소를 통과시키면서 염화철의 수용액 속에서 염산과 황산을 가하여 증류하면 염화게르마늄을 얻는다. 이런 방법으로 얻은 염화게르마늄(Ⅳ)을 증류·정제하고, 증류수로 가수분해하여 건조시키면 산화게르마늄(Ⅳ)이 된다. 이것을 순수소(純水素)로 650 ℃에서 환원시켜 분말 게르마늄으로 만드는데, 보통은 비활성기체 속에 넣어 1,100 ℃에서 인공으로 만든다. 순도(純度)는 99.99 % 정도이지만, 트랜지스터 등의 반도체 재료로 사용할 때는 더 순수한 것이 요구되므로, 띠정제(zone refining)를 하여 순도 99.99999999 % 정도의 것을 얻는다. 이를 텐나인(ten-nine)이라고 한다.

 

 <용도> 반도체로서의 성질을 이용하여 정류기(整流器)·검파기(檢波器) 등에 쓰이며, 특히 트랜지스터 작용을 이용하여 증폭·변조등 전자공학 분야에서 매우 널리 이용된다. 예전에는 매우 희귀한 원소의 하나로 간주되었으나, 최근에는 그 생산량이 급격히 증가되었다. 또 적색 형광체·적외선 투과유리 등의 제조에도 사용되고, 각종 합금 용도도 개발되고 있다.

Powder (분말)
GEE06PB  Ge 4N   25g/¥18,000   100g/¥50,000  
  powder, M300micrometer pass        
GEE05PB  Ge 4Nup   25g/¥35,300   100g/¥127,000  
  powder, M45micrometer pass        
GEE07PB  Ge 5N   25g/¥23,000   100g/¥65,000  
  powder, M300micrometer pass        
Lump & Grain (괴상 & 입상)
GEE05GB  Ge 4N   100g/¥64,000    
  lumps, 7~10mm        
GEE07GB  Ge 4N   100g/¥66,000    
  grain, 2~5mm        
GEE06GB  Ge 5N   100g/¥100,500    
  lumps, 7~10mm        
GEE08GB  Ge 5N   100g/¥105,000    
  grain, 2~5mm        
Tablet & Rod (타블렛 & 로드)
   Ge     Ask    
  tablet & rod      
Chip (칩)
GEE09CB  Ge 5N   10p/¥26,000    
  chips, 5 x 5 x 1mmt      
GEE02CB  Ge     Ask    
  chips, 10 x 10 x 1mmt      
GEE10CB  Ge 5N   10p/¥38,000    
  chips, 10 x 10 x 1mmt      
Target (타겟)
   Ge     Ask    
  target      
 Alloy (합금)
   Ge-Au     Ask    
  lumps      
Tablet & Target (타블렛 & 타겟)
   Ge-Sb-Te     Ask    
  tablet & target      
 Oxide (산화물)
Powder (분말)
GEO06PB  GeO2 4N7   Ask    

  powder,

  F.W.104.63, d.4.25, m.p.1115℃, 용해도 0.44725 

     
GEO07PB  GeO2 4N   100g/¥40,000   100g/¥155,000  

  powder,

  F.W.104.63, d.4.25, m.p.1115℃, 용해도 0.44725 

     
Tablet & Target (타블렛 & 타겟)
   GeO2     Ask    
  tablet & target      

 

 Salt & Halogenide (염 및 할로겐화합물)
GEH01LB  GeBr4 3N   25g/¥83,000    
  liquid, F.W.392.25, d.3.0550, m.p.26.1℃, b.p.186℃      
GEH02LB  GeCl4 5N   25g/¥24,000    
  liquid, F.W.214.43, d.1.88, m.p.-49.5℃, b.p.83.1℃      
GEH03XB  GeI4 3N   Ask    
  F.W.580.25, d.4.4, m.p.144℃, b.p.377℃      
 Other inorganic compound (무기화합물)
GEI02PB  GeS 4N   25g/¥200,000   100g/¥490,000  
  powder, F.W.104.69, d.4.1, m.p.530℃      
GEI03GB  GeS2 4Nup   25g/¥37,000   100g/¥130,000  

  lumps,

  F.W.136.75, d.3, m.p.~800℃,  b.p.600℃< 

     
GEI04PB  GeS2 4Nup   25g/¥37,000   100g/¥130,000  

  powder,

  F.W.136.75, d.3, m.p.~800℃,  b.p.600℃< 

     
GEI06PB  GeSe 5N   Ask    
  powder, F.W.151.6, d.5.6, m.p.667℃      
GEI08PB  approx.GeSe2 5N   Ask    
  powder, d.4.56, m.p.740℃      
GEI09GB  GeTe 5N   Ask    
  lumps, F.W.200.23, d.6.16, m.p.724℃      
GEI10PB  GeTe 5N   Ask    
  powder, F.W.200.23, d.6.16, m.p.724℃      
GEI11GB  approx.GeTe2 5N   Ask    
  lumps      
 Metal organic compound (금속유기화합물)
■ Alkoxide (알코옥사이드)
GER12LB  Ge(OCH3)4 5N   25g/¥47,500    

  무색액체, liquid,

  F.W.196.77, d.1.32525, m.p.-18℃, b.p.148~150℃/96.3 kPa 

   
GER13LB  Ge(OC2H5)4 5N   25g/¥52,300    

  무색액체, liquid,

  F.W.252.87, d.1.14, m.p.-72℃, b.p.185~186℃ 

     
GER14LB  Ge(O-i-C3H7)4 5N   25g/¥97,300    

  무색액체, liquid,

  F.W.308.98, d.0.93720, b.p.81.5℃/933.3Pa 

       
GER16LB  Ge(O-i-C4H9)4 5N   Ask    

  무색액체, liquid,

  F.W.365.09, d.1.005425, b.p.254.5~274.5℃ 

       
GER17LB  Ge(O-n-C4H9)4 5N   Ask    

  무색액체, liquid,

  F.W.365.09, d.1.01720, b.p.299℃ 

       
   Ge(O-n-C3H7)4 5N   Ask    
  무색액체, liquid,
  F.W.308.98, d.1.0580
25,
  b.p.108~109.5℃/1.20 kPa, 238~239℃/96.03 kPa
     
   Ge(O-sec-C4H9)4 5N   Ask    

  무색액체, liquid,

  F.W.365.09, d.1.016525, b.p.254℃ 

     
   Ge(O-t-C4H9)4 5N   Ask    

  무색액체, liquid,

  F.W.365.09, d.1.057325, b.p.257℃ 

     

 

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