49 In
  • NameINDIUM (인듐)
  • SymbolIn
  • Atomic No.49
  • Atomic weight114.82
Properties (물성)견적문의
  • Melting Point156.17℃
  • Boiling Point2000℃
  • Density7.31g/㎤
  • Thermal Conductivity81.6W/(m.K)at 27℃
  • Specific Heat233J/(kg.K)at 25℃
  • Heat of Fusion3.28kJ/mol
  • Heat of Vaporization226kJ/mol
  • Electronegativity1.7 Pauling's
  • Electrical Resistivity80nΩ·m at20℃
  • Atomic Volume15.7 W/D
  • Tensile Strength2.62Mpa
  • Crystal StructureTetragonal

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1863년 독일의 F.라이히와 H.T.리히터가 섬아연석 속에서 발견하였다. 이때 그들은 그 당시 발견된 분광분석(分光分析)을 사용하여 이 원소를 확인하였는데, 이것의 스펙트럼선이 청색을 나타낸 데서, 라틴어의 indicum(인디고블루)을 따서 인듐이라고 명명하였다. 주로 섬아연석 등 황화광물(黃化鑛物) 속에서 미소량이 발견될 뿐이며, 수권(水圈)·생물권에는 존재하지 않는다. 천연으로는 동위원소인 인듐 l13(4.28%)과 l15(95.72%)가 존재하는데, 115는 천연 방사성핵종이며, 반감기 6×1014년이고, β선을 방출한다.

 

은백색의 납(蠟)처럼 무른 금속으로, 상온에서 안정한 고체금속 중에서 가장 연하기 때문에 칼로 자를 수도 있으며, 문지르면 곧 부착하고, 굽히면 주석과 같은 소리가 난다. 또 가공하기 쉬우며, 어떤 형태로도 만들 수 있다. 알칼리수용액과는 반응하지 않으나, 산과는 반응하여 녹는다. 화합물은 3가(價)가 안정하다. 항공기용 슬리브베어링, 베어링용 인듐도금, 이융합금(易融合金), 유리 봉착용(封着用) 합금 등에 사용되는데, 산화물·황화물 등은 반도체이며, 전자공업에서 널리 사용된다. 또, 합금에 첨가된 형태로 한란계·의치 등의 충전제로서 이용된다.

Powder (분말)
INE13PB In4N  25g/¥38,800  
  powder, M150micrometer pass    
INE14PB In4N  25g/¥55,800  
  powder, M75micrometer pass    
INE15PB In4N  25g/¥38,800  
  powder, M45micrometer pass    
Grain (입상)
INE16GB In4N  100g/¥21,000  500g/¥60,000 
  grains, shots, 3~6mm    
INE08GB In4N  25g/¥27,400  
  grains, wire-cut, ca.2mmdia x 5~10mmL    
INE13GB In5N  100g/¥36,000  500g/¥150,000 
  grains, shots, 1~2mm    
INE17GB In4N  Ask  
  grains, shots, 2~3mm    
INE14GB In5N  Ask  
  grains, shots, 2~3mm    
INE15GB In5N  Ask  
  grains, shots, 3~6mm    
INE07GB In6N  Ask  
  grains, shots, 3~6mm    
Wire (와이어)
INE01WB In4N  10m/¥70,000  
  wire, 1mmdia   
INE02WB In4N  10m/¥199,000  
  wire, ca.2mmdia   
Rod & Tablet (로드 & 타블렛)
INE01RB In4N  Ask  
  tablet, 10mmdia x 5mmt   
INE02RB In4N  10p/¥22,000  
  tablet, 20mmdia x 5mmt   
Chip (칩)
INE01CB In4N  Ask  
  chips, 5 x 5 x 1mmt   
INE02CB In4N  Ask  
  chips, 10 x 10 x 1mmt   
Sheet & foil (쉬트&호일)
INE01SB In4N  Ask  
  metal sheet, 100 x 100 x 1mmt   
INE02SB In4N  Ask  
  metal sheet, 100 x 100 x 0.5mmt   
Target (타겟)
  In4N  101.6dia x 5mmt / ¥45,000 
  metal target  152.4dia x 5mmt / ¥78,000 

 

 Alloy (합금)
   In-Mg (51.3:48.7%)     Ask    
  lumps      
INA01GB  In-Sn (95:5%) 4N   Ask    
  shots      
INA02GB  In-Sn (52:48%) 4N   100g/¥25,000   500g/¥100,000  
  lumps      

 

 Oxide (산화물)
Powder (분말)
INO02PB In2O34N  100g/¥28,000  500g/¥95,000 
  ca.4micrometer, F.W.277.63, d.7.18    
Grain (입상)
INO02GB In2O34N  25g/¥30,000  100g/¥80,000  500g/¥250,000

  grains, 2~7mm, irregular,

  F.W.277.63, d.7.18 

   
INO03GB In2O35N  Ask  

  grains, 2~7mm, irregular,

  F.W.277.63, d.7.18 

   
Rod, Tablet & Target (로드, 타블렛 & 타겟)
  In2O34N

10dia x 5mmt  20p/¥48,000,    

20dia x 5mmt  10pc/¥54,000 

  rod, tablet & target

101.6dia x 5mmt / ¥160,000,     

152.4dia x 5mmt / ¥210,000 

 

 Compound oxide (복합산화물)
■ Lump & Powder (럼프 & 분말)
INF01PB In2O3-SnO2 (95:5%)4N  Ask  
  powder   
INF02GB In2O3-SnO2 (95:5%)4N  Ask  
  lumps   
Rod, Tablet & Target (로드, 타블렛 & 타겟)
  In2O3-SnO2 (10%)4N

10dia x 5mmt  20p/¥50,000,    

20dia x 5mmt  10pc/¥56,000 

  rod, tablet & target

101.6dia x 5mmt / ¥165,000,     

152.4dia x 5mmt / ¥260,000 

 

 Salt & Halogenide (염 및 할로겐화합물)
INH01XB InBr3 (metal base)4N  25g/¥85,000  100g/¥150,000 

  anhydrous,

  F.W.354.53, d.4.74, m.p.436℃ 

   
INH02XB InCl3.xH2O4N  100g/¥17,000  500g/¥75,000 
  hydrous, d.4.0, m.p.56℃   
INH03XB InCl34N  25g/¥14,000  

  anhydrous,

  F.W.221.17, d.4, m.p.586℃, b.p.500℃ 

   
INH05XB InF3.xH2O3N  25g/¥12,500  100g/¥41,500 

  hydrous,

  d.4.39, m.p.-xH2O : ca.100℃, b,p,1200℃< 

   
INH06XB InF32Nup  25g/¥20,000  100g/¥75,000 

  anhydrous,

  F.W.171.81, d.4.39, m.p.ca.1170℃, b.p.1200℃< 

   
INH07XB InI3 (metal base)4N  25g/¥42,000  

  anhydrous, solid,

    F.W.495.53, d.4.69, m.p.210℃ 

   
INH08XB In(NO3)3.xH2O4N  100g/¥16,300  500g/¥64,500 
  hydrous, m.p.-2H2O : 100℃   
INH09XB In2(SO4)3.xH2O4N  100g/¥48,500  500g/¥181,000 
  hydrous, d.3.44, m.p.250℃   
INH10XB In2(SO4)34N  Ask  
  anhydrous, F.W.517.8, d.3.44, m.p.500℃<   

 

 Other inorganic compound (무기화합물)
INI01PB InAs (metal base)5N  Ask  
  powder, F.W.189.74, d.5.67, m.p.943℃   
INI02GB InAs (metal base)5N  Ask  
  lumps, F.W.189.74, d.5.67, m.p.943℃   
INI03PB InP (metal base)3N  Ask  
  powder, F.W.145.79, m.p.1070℃   
INI04PB InP (metal base)5N  Ask   
  powder, F.W.145.79, d.4.81, m.p.1070℃   
INI05GB InP (metal base)5N  Ask   
  lumps, F.W.145.79, d.4.81, m.p.1070℃   
INI06PB InS4N  Ask  
  powder, F.W.146.88, d.5.2, m.p.692℃   
INI07GB InS4N  Ask  
  lumps, F.W.146.88, d.5.2, m.p.692℃   
INI08PB In2S34N  25g/¥13,500  100g/¥31,100 
  powder, F.W.325.82, d.4.45, m.p.1050℃   
INI09GB In2S34N  25g/¥37,000  100g/¥125,000 
  lumps, F.W.325.82, d.4.45, m.p.1050℃   
INI10PB InSb5N  25g/¥28,000  
  powder, F.W.236.58, d.5.77, m.p.535℃   
INI11GB InSb5N  25g/¥28,000  
  lumps, F.W.236.58, d.5.77, m.p.535℃   
INI12PB InSe4N  Ask  
  powder, F.W.193.79, d.5.55, m.p.660℃   
INI13GB InSe4N  25g/¥20,500  
  lumps, F.W.193.79, d.5.55, m.p.660℃   
INI14PB In2Se3Nup  Ask  
  powder, F.W.308.61, d.6.17, m.p.540℃   
INI16PB In2Se33Nup  25g/¥115,500  
  powder, F.W.466.55, d.5.8, m.p.ca.890±10℃   
INI17GB In2Se34N  25g/¥130,500  
  lumps, F.W.466.55, d.5.8, m.p.ca.890±10℃   
INI18PB InTe4N  Ask  
  powder, F.W.242.42, d.6.29, m.p.696℃   
INI19GB InTe4N  Ask  
  lumps, F.W.242.42, d.6.29, m.p.696℃   
INI20PB InTe5N  Ask  
  powder, F.W.242.42, d.6.29, m.p.696℃   
INI22PB In2Te34N  Ask  
  powder, F.W.612.44, d.5.75, m.p.667℃   
INI23GB In2Te34N  Ask  
  lumps, F.W.612.44, d.5.75, m.p.667℃   
INI24PB In(OH)34N  25g/¥13,400  100g/¥30,800  500g/¥123,000
  powder, F.W.165.84, d.4.4   

 

 Metal organic compound (금속유기화합물)
■ Alkoxide (알코옥사이드)
INR03GB approx.In(O-i-C3H7)33N  25g/¥46,500  
  solid, 휘발성없음    

 

 Spin coating and Dip coating solution (코팅제)
■ MOD (도포형재료)
INK01LB In-05 In2O3   100ml/¥36,500  
  적갈색액체, liquid, 산화물농도 5%    
■ EMOD (도포형재료)
INS02LB SYM-IN02  type S, InO1.5   Ask  
  산화물농도 0.2mol/ℓ   

 

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